为了改进数据存储,研究人员正在完善三维 NAND 闪存,这种闪存将单元堆叠起来,以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法,可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。