摘要：硅(Si)因其高理论比容量(~4200 mAh/g)而成为下一代锂离子电池(LIB)最具前景的负极候选材料，但其在嵌锂过程中发生>300%的体积膨胀会导致颗粒粉化、电接触丧失及固体电解质中间相(SEI)持续再生，引发快速容量衰减。本研究报道了一种通 摘要：硅(Si)因其高 ...

多孔毛细管由Kohoku的原料浆浇注工艺加工而成。我们的技术提供了在有利的成本下各种各样的纤维组件的独特解决方案。 1 - 2 维微孔阵列通过使用港北工业的独创成型技术为各种纤维提供独特的解决方案。与传统技术相比，我们的技术更紧凑，可靠性更高。

染料废水污染已成为威胁水生生态系统和人类健康的重大环境问题。为实现有机染料（如亚甲蓝）的绿色高效去除，研究人员在温和条件下，无需高压、高反应温度或有毒化学物质，通过HCl辅助的SiO?提取、共沉淀和离子交联方法制备了生物基磁性复合颗粒（Fe?

获取招标文件时间 2026年06月05日至2026年06月12日 每日上午:9:00 至 11:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥600 获取招标文件的地点 www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 中国科学院近代物理研究所低温抗辐射SiO2刚 ...

虚岁只有9岁的小女孩，她的墓葬自上世纪50年代发现后，就一直保持隋代等级最高墓葬的记录！石棺上的“开者即死”四个字，据说是请一位不识字的人打开的（传闻），也算是“找到漏洞”了。

6月26日晚间，半导体设备龙头拓荆科技（688072.SH）发布公告，公司正在筹划以发行股份及支付现金的方式购买无锡尚积半导体科技股份有限公司（以下简称“无锡尚积”）的控股权，并募集配套资金。公司股票将于6月29日（星期一）开市起停牌，预计停牌时间不 ...

6月10日消息，在2nm及以下的先进工艺的竞争中，日本除了Rapidus公司依靠IBM技术之外还有多家机构在自研技术，东京科技大学日前就实现了GAA晶体管工艺中的一次重要突破。 大家都知道芯片工艺进入2nm节点之后，目前在用的FinFET晶体管结构也要转向GAA环绕栅极晶体管以进一步缩小体积，提升密度，但GAA面临的技术挑战也很多，整体的EOT尺寸在1.4nm就会遇到瓶颈，SiO2二氧化硅的绝缘层 ...

在半导体设备国产替代的浪潮下，国内产业加速突破海外技术壁垒，产业并购整合也迎来关键时刻。　　6月26日晚间，半导体设备龙头拓荆科技（688072.SH）发布公告，公司正在筹划以发行股份及支付现金的方式购买无锡尚积半导体科技股份有限公司（ ...

近年来，柔性电子技术的快速发展对有机半导体材料在载流子传输性能、机械柔性与加工适应性方面提出了更高要求。供体–受体型共轭聚合物凭借良好的溶液加工性、可调的电子结构与固有柔性，在有机场效应晶体管、柔性逻辑电路与可穿戴电子器件等领域展现出重要应用潜力。尤其是无规共轭聚合物，由于组成可调、结构自由度高，有望实现对材料性能的精细调控；但其组成复杂，单体比例、前线轨道 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示钢研高纳（300034）新获得一项发明专利授权，专利名为“薄壁零件铸造方法及其陶瓷型壳和制备方法”，专利申请号为CN202311676468.8，授权日为2026年6月19日。