据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3DTLCNAND闪存。这款闪存采用了Xtacking4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破。长江存储的这一成果标志着公司在闪存技术方面取得 ...

快科技2月2日消息，据国外媒体报道称，长江存储目前已开始出货第五代3D TLC NAND闪存（闪存中使用了Xtacking 4.0架构），共有294层，以及232个有源层。 具体来说，长江存储第五代3D TLC NAND闪存的位密度据称超过了20Gb ...

据悉，长江存储已经在新的闪存产品上超越了韩国、美国等其他头部存储企业。目前，该公司推出的第五代3D TLC NAND闪存产品的位密度超过了20Gb/mm（混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和I/O性能）。虽然整体来说，这个数值略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND闪存产品的22.9Gb/mm，但是考虑到市场上其他企业的表现，这一成绩已经非常优秀。

IT之家 1 月 31 日消息，据外媒 Tom's shardware 报道，长江存储目前已开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。 外媒认为长江存储在其闪存中使用了晶栈 4.0（IT之家注：Xtacking 4.0）架构，利用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和 I/O 性能。

之前有关TLC、QLC的争议不断，前者成本低，容量大，但速度慢，寿命短（企业级TLC普遍在7000~10000PE），而后者的寿命则更差，不过之前长江存储宣布 ...

据外媒Tom's shardware报道，长江存储已开始出货第五代3D TLC NAND闪存。该闪存共有294层和232个有源层。长江存储使用了晶栈4.0架构，并利用混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来，以提高存储密度和I/O性能。目前的规格略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND闪存的22.9Gb/mm?。这使得长江成为全球NAND市场的竞争者之一。

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