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领先三星角逐高端存储:SK 海力士被曝推进1c DRAM六层 EUV 工艺
IT之家 8 月 12 日消息,科技媒体 WccfTech 昨日(8 月 11 日)发布博文,报道称 SK 海力士(SK Hynix)为了推动 DDR5 及高带宽存储(HBM)产品性能升级,并在新一代存储技术中占据领先地位,计划在量产 1c DRAM ...
SK海力士(SK hynix,HXSCF)公司周一表示,用于人工智能的高带宽存储器(HBM)的需求到2030年每年可增长约30%,这得益于其所谓的终端用户需求强劲以及云计算资本支出的增加。 在接受媒体采访时,负责HBM业务规划的Choi Joon yong明确表示:“终端用户对人工智能的需求非常稳固且强劲。” 他补充说, 亚马逊 、 微软 和 谷歌 的支出可能会被上调,这对HBM来说将是“积极的” ...
在现代科技飞速发展的背景下,人工智能(AI)已成为各行业关注的焦点,相关技术的需求也随之水涨船高。近日,SK海力士(SK Hynix)在一份声明中透露,预计到2030年,人工智能专用的高带宽存储器(HBM)的需求将以每年约30%的速度增长。这一数据不仅令人振奋,更是表明了AI技术对存储器市场的深远影响。
综上所述,SK海力士对人工智能HBM市场的乐观预期,反映了当前科技行业的发展脉络。随着终端用户对人工智能的强劲需求和云计算资本支出的增加,HBM市场有望在未来几年内实现显著增长。投资者、企业以及行业观察者应密切关注这一趋势,以便抓住即将到来的市场机会。 返回搜狐,查看更多 ...
韩国存储器制造商SK Hynix计划在上半年将其NAND闪存产量减少10%, TheElec报道指出,由于供应过剩,NAND闪存价格已经连续四个月下跌,SK Hynix的减产举措是由于市场供应过剩所致。SK Hynix的NAND闪存总生产能力为每月30万片晶圆。 据集邦咨询数据显示,针对存储卡和U盘等通用用途的NAND闪存(128Gb 16Gx8 MLC ...
另外,据芯智讯了解,SK海力士系统集成电路(无锡)有限公司是SK海力士旗下全资子公司SK Hynix System IC在华下设的独资公司,主要在华发展晶圆代工 ...
电子工程专辑讯 近日,据BUSINESSKOREA报道称,在6月16日至6月20日于美国夏威夷举行的半导体会议 "VLSI 2024 "上,SK hynix提交了一份关于3D DRAM的研究论文,论文指出,SK海力士的五层堆叠的 3D DRAM 的生产良率达到了 56.1%。这意味着,在单个测试晶圆上制造的约 1,000 个 3D DRAM 中,生产出了约 561 个可行器件 ...
7月24日消息,韩国存储芯片大厂SK 海力士(SK Hynix)发布了截至2025年6月30日为止的第二季财报,不仅营收和营业利润均创下历史新高,而且也大幅 ...
韩国警方周二 (5月28日)表示,韩国芯片巨头SK海力士 (SK Hynix) 一名中国籍女性前员工A某涉嫌向中国华为公司泄露有关降低芯片不良率的核心技术 ...
韩国产业部长呂翰九说,晶片制造商三星电子和SK海力士(SK Hynix)将不会受到美国 半导体100%关税 的约束。
相关阅读:《继Intel后,SK Hynix也成为“牺牲品”? 对此,韩媒BusinessKorea 23日报道指出,SK Hynix的CEO李锡熙22日在一场活动中就关于引进EUV设备计划进展表示:“我们还有足够的时间,所以我们将通过与美国政府的合作,把设备引进到该工厂。
SK海力士表示,全球大型科技公司在AI领域的积极投资带动了AI存储芯片需求的稳步增长,其中也包括12层HBM3E产品。 图片来源:kim hong-ji/Reuters 英伟达 (Nvidia)高带宽存储器 (HBM)的主要供应商 SK海力士 (SK Hynix)计划在今年增加支出,以满足对AI芯片的强劲需求。
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