闪迪的目标是在 2026 年下半年实现 HBF 高带宽闪存的初始出样，并在 2027 年初实现配备 HBF 存储堆栈的 AI 推理设备出样。这意味着，在未来几年内，我们将看到基于 HBF 技术的 AI 推理加速卡 和 AI 服务器 ...

具体来说，SK海力士二季度营收金额为22.232万亿韩元，同比增长35%，创下了历史新高，也超越了分析师预期的20.56万亿韩元；营业利润为9.21万亿韩元，同比暴涨69%，创下历史新高，也超越了分析师的预期；净利为6.9962万亿韩元，同比暴涨70 ...

据悉，这一里程碑代表1992年以来，DRAM内存市场领导地位首次发生变化。 SK海力士高带宽内存（HBM）市场的强大地位是成功关键，其对AI和高效能计算工作负载至关重要。SK海力士HBM的市占率超过70%，且是NVIDIA等主要AI芯片商的重要供应商 ...

HBF的设计思路借鉴HBM，利用大量I/O引脚和多层堆叠（8至16层）实现高带宽。 虽然两者共享电气接口，但HBF将存储介质从DRAM切换为NAND，并调整了协议，因此不完全兼容。HBF可通过逻辑芯片和中介层连接GPU/CPU/TPU，部分替代HBM ...

另外，据芯智讯了解，SK海力士系统集成电路（无锡）有限公司是SK海力士旗下全资子公司SK Hynix System IC在华下设的独资公司，主要在华发展晶圆代工 ...

韩国存储器制造商SK Hynix计划在上半年将其NAND闪存产量减少10%， TheElec报道指出，由于供应过剩，NAND闪存价格已经连续四个月下跌，SK Hynix的减产举措是由于市场供应过剩所致。SK Hynix的NAND闪存总生产能力为每月30万片晶圆。 据集邦咨询数据显示，针对存储卡和U盘等通用用途的NAND闪存（128Gb 16Gx8 MLC ...

韩国产业部长呂翰九说，晶片制造商三星电子和SK海力士（SK Hynix）将不会受到美国 半导体100%关税 的约束。

电子工程专辑讯 近日，据BUSINESSKOREA报道称，在6月16日至6月20日于美国夏威夷举行的半导体会议 "VLSI 2024 "上，SK hynix提交了一份关于3D DRAM的研究论文，论文指出，SK海力士的五层堆叠的 3D DRAM 的生产良率达到了 56.1%。这意味着，在单个测试晶圆上制造的约 1,000 个 3D DRAM 中，生产出了约 561 个可行器件 ...

韩国警方周二 (5月28日)表示，韩国芯片巨头SK海力士 (SK Hynix) 一名中国籍女性前员工A某涉嫌向中国华为公司泄露有关降低芯片不良率的核心技术 ...

相关阅读：《继Intel后，SK Hynix也成为“牺牲品”？ 对此，韩媒BusinessKorea 23日报道指出，SK Hynix的CEO李锡熙22日在一场活动中就关于引进EUV设备计划进展表示：“我们还有足够的时间，所以我们将通过与美国政府的合作，把设备引进到该工厂。

SK海力士表示，全球大型科技公司在AI领域的积极投资带动了AI存储芯片需求的稳步增长，其中也包括12层HBM3E产品。 图片来源：kim hong-ji/Reuters 英伟达 (Nvidia)高带宽存储器 (HBM)的主要供应商 SK海力士 (SK Hynix)计划在今年增加支出，以满足对AI芯片的强劲需求。

SK海力士重庆厂分两期建设，一期工程将专注测试（2014年下半年正式投产）、二期工程则专注封装（2019年投产），两期工程全部达产后，年生产芯片有望接近20亿只，年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上，成为其全球海外最大的封装测试基地。